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隨著電子科技的發(fā)展，模塊電源因其小體積、高效率、寬輸入電壓范圍、高可靠性、良好的抗沖擊能力、寬溫度范圍等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在工業(yè)電氣、自動化電子、通信、醫(yī)療、交通、新能源、儀器儀表、汽車電子、航空航天、軍工科研等領(lǐng)域設(shè)備。因為體積較小，通常需要外加電路設(shè)計，是一款板載電源。下面介紹下提高模塊電源應(yīng)用電路設(shè)計穩(wěn)定性的7大要點(diǎn)。 1、兩級浪涌保護(hù)電路。模塊電源很小，在高電磁兼容性要求的場合…
我們在選擇電源上，常常把重心放在參數(shù)與性能上，容易忽視這是通用型設(shè)計。電源模塊本身的可靠性很重要，但事實(shí)上，由于電源系統(tǒng)工作環(huán)境的復(fù)雜性，如果沒有可靠的系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計，電源最終會失效。下面介紹電源系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計的幾種常見方法和注意事項。 1、冗余設(shè)計，要求即使電源模塊在故障損壞時，系統(tǒng)也不能斷電。這時，我們可以采用冗余電源來提高系統(tǒng)的可靠性。如下圖所示，當(dāng)一個電源模塊損壞時，另一個模塊…
模塊電源分類復(fù)雜，按輸入可分為交流（AC）和直流（DC），按輸出可分為交流（AC）與直流（DC）。市場上的電源模塊質(zhì)量也良莠不齊，那么消費(fèi)者到底該如何選擇高可靠性的電源模塊？ 1、采用成熟的電源拓?fù)?。電源模塊的設(shè)計盡量選用成熟的電源拓?fù)?，這些拓?fù)湟呀?jīng)經(jīng)過時間的考驗，成熟可靠。如：1-2W的定壓輸入DC-DC模塊電源選擇Royer電路，而寬壓輸入則多選Flyback拓?fù)?，部分Forward拓?fù)??！?
模塊電源是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器，可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號處理器（DSP）、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。 一般來說，這類模塊稱為負(fù)載點(diǎn)（POL）電源供應(yīng)系統(tǒng)或使用點(diǎn)電源供應(yīng)系統(tǒng)（PUPS）。由于模塊式結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)明顯，因此，模塊電源廣泛用于交換設(shè)備、接入設(shè)備、移動通訊、微波通訊以及光傳輸、路由器等通信領(lǐng)域、工業(yè)、汽車電…
隨著元件集成度越來越高，設(shè)備小型化，電子產(chǎn)品的EMI問題日漸嚴(yán)重。降低電源模塊EMI，可以降低EMI的危害，避免傳輸信號質(zhì)量問題，對電路或設(shè)備造成干擾甚至破壞，設(shè)備不能滿足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)要求等問題。 以下為6點(diǎn)指導(dǎo)原則，僅參考： 1、對于所有應(yīng)用程序，沒有一種完美的EMI策略，但事先的一些基本思想可以使任務(wù)變得更加容易。第一步是確保組件的位置最小化噪音。如去耦電容應(yīng)盡可能靠近電源…
隨著電路集成化、模塊化，電路分析和設(shè)計可以說成是系統(tǒng)的分析和設(shè)計，EMI方案研究會對今后的電子產(chǎn)品性能提高有顯著影響。電子產(chǎn)品的日益普及，以及對電磁危害的逐漸認(rèn)識，減小電磁干擾EMI已經(jīng)成為了目前電子科學(xué)界的重要課題。下面分析下如何降低電源模塊EMI。 模塊電源產(chǎn)品通常設(shè)計用于通過國際無線電干擾特別委員會或CISPR和聯(lián)邦通信委員會（FCC）標(biāo)準(zhǔn)。CISPR標(biāo)準(zhǔn)通常僅涉及電磁兼容性（EMC）發(fā)…
充電樁有6個部分會用到塑料外殼，分別是充電樁殼體，充電樁插頭、充電樁插座，充電槍外殼，斷路器、接觸器及電源模塊外殼，不同部位的外殼材料有相對應(yīng)的選材要求，既要達(dá)到性能要求，也要經(jīng)濟(jì)安全。充電樁外殼材料主要有耐候、耐油、阻燃、絕緣性能好、抗紫外、抗氧化等要求。 充電樁殼體、充電槍外殼的選材要求：可以選用阻燃、耐候、耐低溫性能較好的PC或者PC/ABS改性材料。 PC選擇…
封裝方式可分為軟封裝和硬封裝，軟封裝首要依據(jù)運(yùn)用要求直接制作成模塊，而硬封裝則是封裝成獨(dú)立的芯片。現(xiàn)在封裝主要分為DIP雙列直插和SMD貼片封裝兩種，下面簡單介紹下電子元器件常用的5種封裝方法與封裝知識。 1、DIP雙列直插式封裝技術(shù)（dualinline-pinpackage）： 雙入線封裝，DRAM的一種元件封裝形式。指采用雙列直插形式封裝的集成電路、模塊電源，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路、?！?
開關(guān)電源常用于反饋的光耦型號有TLP521、PC817等。這里以TLP521為例，介紹這類光耦的特性。TLP521的原邊相當(dāng)于一個發(fā)光二極管，原邊電流If越大，光強(qiáng)越強(qiáng)，副邊三極管的電流Ic越大。副邊三極管電流Ic與原邊二極管電流If的比值稱為光耦的電流放大系數(shù)，該系數(shù)隨溫度變化而變化，且受溫度影響較大。 作反饋用的光耦正是利用原邊電流變化將導(dǎo)致副邊電流變化來實(shí)現(xiàn)反饋，因此在環(huán)境溫…
光耦是一種轉(zhuǎn)換器件，原理是通過電到光再到電的轉(zhuǎn)換過程。通過這種轉(zhuǎn)換可以把前級和后級隔離開來，起到保護(hù)作用。制作光耦一般把發(fā)光二極管和光敏三極管封裝在一起，發(fā)光二極管為輸入端，光敏三極管為輸出端。 光耦的優(yōu)點(diǎn)是信號單向傳輸，輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離，輸出信號對輸入端無影響，抗干擾能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定，無觸點(diǎn)，使用壽命長，傳輸效率高。光耦合器是70年代發(fā)展起來的新型器件，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電氣絕緣…